Výrobca Číslo produktu:
IPD12CNE8N G
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD12CNE8N G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 85 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
12801273
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD12CNE8N G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
85 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
67A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.4mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 83µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4340 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD12C
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD12CNE8NG
SP000096477
IPD12CNE8N G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AOD2816
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
AOD2816-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BUK9217-75B,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12500
ČÍSLO DIELU
BUK9217-75B,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP052NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IPC100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
IAUC120N04S6L008ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
